Design-for-Inspection™システム

検出不能を検出

半導体3D構造には、検出が難しい埋め込み欠陥が含まれている可能性があり、低レベルのリークやばらつきが発生し、相互接続の抵抗やトランジスタのパフォーマンスに大きなばらつきが生じ、何ヶ月もの余分な設計サイクルタイムにつながります。

しかし、PDF SolutionsのDesign-for-Inspection™を使用すると、「Middle of Line」インライン検査中にこれらの問題を見つけ、市場投入までの時間を4〜6か月短縮できます。

「検査用設計」とは何ですか？

弊社の設計検査システム（DFI™システム）は、3D構造の内部に埋め込まれた電気的に関連する欠陥を1時間あたり数億DUTの速度で検出できる非接触電子ビーム測定システムです。半導体製造の途中でインラインで使用するのに十分な速さ。

潜在的な信頼性リスクの早期可視化

DFIシステムは、ウェーハあたり数十億の構造を効率的にスキャンして、PPMからPPBレベルでの小さなリークを特定し、ダイ内の潜在的な弱点に対する独自の信頼性の洞察を提供します。 システムは、単一の故障タイプのすべてのダイの高解像度マップ、またはすべての故障タイプの複合マップを提供します。 この詳細なダイ全体の測定により、先見性が提供され、GDBN（Good Die Bad Neighborhood）などの大まかな方法​​よりもダイごとのリスクスクリーニングが向上します。

生産実績

当社のDFIシステムは、120 nmから7 nmまでの28つの高度なプロセスノードにまたがる、現在までに5以上のテープ出力で実現されています。 さらに、60を超えるPDFキャラクタライゼーションビークルがDFIコンテンツとともにテープで貼り付けられています。

DFIシステムはどのように機能しますか？

DFIシステムは、設計に挿入された特許取得済みのIPセルと、それらのIPセルの電気的応答を読み取る専用の高性能電子ビームハードウェアの組み合わせです。 これらを組み合わせることで、歩留まり、パフォーマンス、信頼性を制限するプロセスとレイアウトの感度を特定し、通常は数か月後まで見たり測定したりできない設計の問題に先見性を与え、コストのかかる設計の再設計と市場投入までの時間の遅延につながる可能性があります。

高性能インラインEビーム検査

当社の特許取得済みIPセルは、非接触型電子ビームテスト測定システムであるeProbe®150および250によって製造ラインの真ん中で読み取られます。これらのシステムは現在世界中の複数のサイトに配備されており、複数ノードでの歩留まり学習に積極的に使用されています（22nm、14nm、7nmおよび5nm）。eProbe 250のスループットパフォーマンスは、1時間あたり1億DUTをはるかに超えており、インライン検査に十分な速度です。