要旨：新興の不揮発性メモリは、組み込み型やストレージクラスのアプリケーションにとってますます魅力的になってきている。バックエンド集積メモリ・セルの開発における課題として、学習サイクルの長さとウェハ・コストの高さが挙げられる。我々は、クロスポイントアレイ構造と高並列パラメトリックテストを使用した、メモリアレイの特性評価のためのショートフローベースのアプローチを提案する。逆回路シミュレーションを含む設計要件とテスタビリティの詳細な解析により、ターンアラウンドタイムと開発コストを削減するアプローチの実現可能性を確認する。
キーワード新興メモリ、クロスポイント、メモリアレイ、セル特性評価、パラメトリックテスト、E-テスト、回路シミュレーション、MRAM、PCRAM。